En este trabajo se presenta el estudio teórico de una monocapa de disulfuro de molibdeno y los cambios en sus propiedades por influencia de los defectos, tales como puede ser una vacancia de azufre y/o un átomo de cobre sustitucional. El estudio se realizó mediante la teoría del funcional de la densidad. Se discuten los cambios producidos en las propiedades electrónicas del material al igual que la reactividad al introducir dichos defectos en la red. Se calculó la energía de formación de la vacancia de azufre, la cual resulto estar alrededor de ~ 2.8 eV siendo menos costoso energéticamente en comparación con otras vacancias formadas en otros materiales en monocapa. El disulfuro de molibdeno, es más ampliamente empleado para formar dicalcogenuros de metales de transición, debido a sus propiedades se ha propuesto para aplicaciones optoelectrónicas, debido a su banda prohibida óptica directa con un valor alrededor de los ~ 1.90 eV. En cambio, su superficie es prácticamente inerte para poder interactuar con otras especies por lo cual esta debe ser activada por otros mecanismos. La estructura electrónica de las monocapas puede ser modificada mediante la adsorción de átomos individuales, así como por la formación de vacancias y/o defectos sustitucionales en la superficie. Además, los átomos sustitucionales de cobre introducen varios estados degenerados en el gap de energía para el caso de la monocapa de disulfuro de molibdeno. Por tanto, el gap se reduce progresivamente y los estados degenerados pueden unirse con otras especies. Estos estados degenerados, así como las regiones con menor potencial electrostático, se encuentran en los defectos. En contraste con la monocapa de disulfuro de molibdeno pura químicamente inerte, los cambios en las propiedades electrónicas y energéticas y la reactividad de la monocapa con defectos indican que son materiales prometedores para fines catalíticos y para adsorber otras moléculas.